Hyppää sisältöön
Käytettävä termi

Anitsite defect

Määritelmä

Tyhjentävä kuvaus käsitteen merkityksestä.
  • 1. Antisite defects, in the context of SiC crystals, refer to the formation of defects where atoms of one type occupy the lattice site of the other type. In SiC, both silicon (Si) and carbon (C) atoms can become antisite defects. (ScienceDirect, AI generated definition based on: Wide-Band-Gap Semiconductors, 1993)

Yläkäsite

Merkitykseltään laajempi käsite/termi.

Muunkieliset termit

Käsitteen termit muilla kielillä.

  • Anitsite defect

URI

https://purls.helmholtz-metadaten.de/skosmos/sdv/AnitsiteDefect

Lataa tämä käsite